单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
CoolSIC™ M1SuperFET® III, FRFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）44A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
72 毫欧 @ 24A，10V346 毫欧 @ 3.6A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1mA5.7V @ 1.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 18 V82 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+23V，-5V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
201 pF @ 400 V330 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
65W（Tc）312W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO263-7-12TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
IMBG65R048M1HXTMA1
IMBG65R260M1HXTMA1
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Infineon Technologies
909
现货
1 : ¥35.55000
剪切带（CT）
1,000 : ¥18.31328
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
6A（Tc）
18V
346 毫欧 @ 3.6A，18V
5.7V @ 1.1mA
6 nC @ 18 V
+23V，-5V
201 pF @ 400 V
-
65W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
TO-263
NVB072N65S3
MOSFET N-CH 650V 44A D2PAK-3
onsemi
2,013
现货
1 : ¥65.10000
剪切带（CT）
800 : ¥41.04369
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
44A（Tc）
10V
72 毫欧 @ 24A，10V
4.5V @ 1mA
82 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 400 V
-
312W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。