单 FET,MOSFET
结果 : 4
制造商
系列
包装
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
功率耗散(最大值)
工作温度
供应商器件封装
封装/外壳
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
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比较 | 制造商零件编号 | 现有数量 | 价格 | 系列 | 包装 | 产品状态 | FET 类型 | 技术 | 漏源电压(Vdss) | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | Vgs(最大值) | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | FET 功能 | 功率耗散(最大值) | 工作温度 | 安装类型 | 供应商器件封装 | 封装/外壳 |
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322,813 现货 | 1 : ¥4.68000 剪切带(CT) 3,000 : ¥2.19604 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 60 V | 6.2A(Ta) | 4.5V,10V | 40 毫欧 @ 6.2A,10V | 3V @ 250µA | 55 nC @ 10 V | ±20V | 2900 pF @ 30 V | - | 3.1W(Ta) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 8-SOIC | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | ||
45,474 现货 | 1 : ¥3.37000 剪切带(CT) 3,000 : ¥0.60969 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 30 V | 100mA(Ta) | 2.5V | 8 欧姆 @ 10mA,4V | 1.5V @ 100µA | - | ±20V | 13 pF @ 5 V | - | 200mW(Ta) | -55°C ~ 150°C | 表面贴装型 | SOT-323 | SC-70,SOT-323 | ||
18,540 现货 | 1 : ¥7.55000 剪切带(CT) 2,500 : ¥3.13170 卷带(TR) | - | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | P 通道 | MOSFET(金属氧化物) | 40 V | 60A | 4.5V,10V | 8 毫欧 @ 20A,10V | 2.8V @ 250µA | 97 nC @ 10 V | ±20V | 5235 pF @ 20 V | - | 110W | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | DPAK | TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63 | ||
12,306 现货 | 1 : ¥72.82000 剪切带(CT) 500 : ¥61.05824 卷带(TR) | 卷带(TR) 剪切带(CT) Digi-Reel® 得捷定制卷带 | 在售 | N 通道 | GaNFET(氮化镓) | 650 V | 25A(Tc) | 10V | 85 毫欧 @ 16A,10V | 4.8V @ 700µA | 9.3 nC @ 10 V | ±20V | 600 pF @ 400 V | - | 96W(Tc) | -55°C ~ 150°C(TJ) | 表面贴装型 | 3-PQFN(8x8) | 3-PowerDFN |
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