单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesQorvo
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
80 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
27A（Tc）100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 50A，10V105 毫欧 @ 20A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 67µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 12 V54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 100 V3900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），104W（Tc）136.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK-7PG-TDSON-8-7
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC040N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
Infineon Technologies
12,721
现货
1 : ¥16.75000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.25018
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Tc）
6V，10V
4 毫欧 @ 50A，10V
3.8V @ 67µA
54 nC @ 10 V
±20V
3900 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
UF3C120080B7S
UF3C065080B7S
SICFET N-CH 650V 27A D2PAK-7
Qorvo
2,954
现货
1 : ¥72.66000
剪切带（CT）
800 : ¥37.76510
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
650 V
27A（Tc）
-
105 毫欧 @ 20A，12V
6V @ 10mA
23 nC @ 12 V
±25V
760 pF @ 100 V
-
136.4W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。