单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™-5TrenchFET®TrenchFET® Gen III
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）散装
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA（Ta）7.6A（Tc）12.6A（Tc）13A（Ta），50A（Tc）13A（Ta），65A（Tc）14A（Ta），44A（Tc）15A（Ta），50A（Tc）20A（Ta）21A（Ta），100A（Tc）33A（Ta），206A（Tc）44A（Tc）50A（Tc）60A（Ta）65A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，8V4.5V，10V6V，10V7V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 35A，10V1.5 毫欧 @ 50A，10V2.2 毫欧 @ 28A，10V4.2 毫欧 @ 18A，10V5.1 毫欧 @ 20A，8V6.6 毫欧 @ 17A，10V9.8 毫欧 @ 14A，10V10.3 毫欧 @ 10A，8V10.8 毫欧 @ 11A，10V13 毫欧 @ 12A， 10V15.1 毫欧 @ 10A，10V19 毫欧 @ 9A，10V23.9 毫欧 @ 5A，4.5V29 毫欧 @ 5.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.1V @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.4V @ 250µA3.4V @ 60µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 4.5 V3.6 nC @ 4.5 V4.7 nC @ 4.5 V5.1 nC @ 4.5 V11.6 nC @ 4.5 V18 nC @ 10 V19 nC @ 10 V22 nC @ 10 V35 nC @ 10 V36 nC @ 10 V42 nC @ 10 V53 nC @ 10 V64 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V+10V，-8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V506 pF @ 15 V530 pF @ 15 V655 pF @ 10 V700 pF @ 15 V1295 pF @ 15 V1480 pF @ 30 V1500 pF @ 15 V1560 pF @ 15 V1656 pF @ 20 V1680 pF @ 50 V1770 pF @ 30 V2310 pF @ 15 V4230 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）1.25W（Ta），2.5W（Tc）2.7W（Ta）2.9W（Ta）3W（Ta）3W（Ta），115W（Tc）3W（Ta），53W（Tc）3.1W（Ta）3.1W（Ta），195W（Tc）3.1W（Ta），77W（Tc）3.2W（Ta），195W（Tc）3.2W（Ta），63W（Tc）3.2W（Ta），75W（Tc）4.8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-WSON（2x2）8-SOIC8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（5x6）PG-TDSON-8 FLSOT-23-3（TO-236）SOT-323
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,175
现货
2,187,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
33,166
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10687
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
7.6A（Tc）
4.5V，10V
29 毫欧 @ 5.4A，10V
2.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta），2.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
34,086
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.03815
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12.6A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 9A，10V
2.2V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
29,405
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85948
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
3V，8V
10.3 毫欧 @ 10A，8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18534Q5A
MOSFET N-CH 60V 13A/50A 8VSON
Texas Instruments
29,094
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.8 毫欧 @ 14A，10V
2.3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1770 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
13,634
现货
1 : ¥8.29000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.42950
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
44A（Tc）
6V，10V
15.1 毫欧 @ 10A，10V
3.4V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
3.2W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18504Q5A
MOSFET N-CH 40V 15A/50A 8VSON
Texas Instruments
10,566
现货
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71244
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
6.6 毫欧 @ 17A，10V
2.4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
1656 pF @ 20 V
-
3.1W（Ta），77W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
ISC015N04NM5
ISC015N04NM5ATMA1
40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Infineon Technologies
5,419
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.18709
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
33A（Ta），206A（Tc）
7V，10V
1.5 毫欧 @ 50A，10V
3.4V @ 60µA
67 nC @ 10 V
±20V
4800 pF @ 20 V
-
3W（Ta），115W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17573Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,389
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.61091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Ta）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 35A，10V
1.8V @ 250µA
64 nC @ 4.5 V
±20V
9000 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
5,755
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.74935
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
6-WSON
CSD25310Q2
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
Texas Instruments
44,282
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.38540
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
20A（Ta）
1.8V，4.5V
23.9 毫欧 @ 5A，4.5V
1.1V @ 250µA
4.7 nC @ 4.5 V
±8V
655 pF @ 10 V
-
2.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-WSON（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8-Power TDFN
CSD17577Q5A
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
14,152
现货
1 : ¥6.24000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.36331
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Ta）
4.5V，10V
4.2 毫欧 @ 18A，10V
1.8V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2310 pF @ 15 V
-
3W（Ta），53W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD18537NQ5A
MOSFET N-CH 60V 50A 8VSON
Texas Instruments
15,381
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.98863
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
6V，10V
13 毫欧 @ 12A， 10V
3.5V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17507Q5A
MOSFET N-CH 30V 13A/65A 8VSON
Texas Instruments
5,723
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.74129
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta），65A（Tc）
4.5V，10V
10.8 毫欧 @ 11A，10V
2.1V @ 250µA
3.6 nC @ 4.5 V
±20V
530 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17310Q5A
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Texas Instruments
22,001
现货
210,429
市场
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.11257
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta），100A（Tc）
3V，8V
5.1 毫欧 @ 20A，8V
1.8V @ 250µA
11.6 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
1560 pF @ 15 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
CSD17527Q5A
MOSFET N-CH 30V 65A 8VSON
Texas Instruments
12,353
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.45744
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
65A（Tc）
4.5V，10V
10.8 毫欧 @ 11A，10V
2V @ 250µA
3.4 nC @ 4.5 V
±20V
506 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。