单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Texas InstrumentsVishay Siliconix
系列
HiPerFET™, TrenchT2™NexFET™OptiMOS™OptiMOS™ 5TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V100 V170 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.6A（Ta）21A（Ta），132A（Tc）60A（Tc）62.5A（Ta），100A（Tc）100A（Ta）200A（Ta）220A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 20A，10V2.2 毫欧 @ 28A，10V3 毫欧 @ 20A，10V5.6 毫欧 @ 90A，10V6.3 毫欧 @ 60A，10V9.8 毫欧 @ 30A，10V14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA3.2V @ 250µA3.3V @ 50µA3.8V @ 36µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
28 nC @ 10 V49 nC @ 10 V53 nC @ 10 V57 nC @ 10 V190 nC @ 10 V194 nC @ 10 V500 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2100 pF @ 50 V3800 pF @ 30 V4230 pF @ 30 V5060 pF @ 50 V8445 pF @ 20 V31000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）2.5W（Ta），100W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）6.25W（Ta），100W（Tc）250W（Tc）1250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-TDSON-8-7PG-WHSON-8-1PowerPAK® SO-8TO-263（DDPAK-3）TO-264AA（IXFK）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerWDFNPowerPAK® SO-8TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AATO-264-3，TO-264AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7461DP-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
23,208
现货
1 : ¥18.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.54468
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8.6A（Ta）
4.5V，10V
14.5 毫欧 @ 14.4A，10V
3V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.9W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-Power TDFN
CSD18540Q5BT
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
1,820
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
250 : ¥15.56548
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC098N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TDSON
Infineon Technologies
13,564
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.36818
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
6V，10V
9.8 毫欧 @ 30A，10V
3.8V @ 36µA
28 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
DDPAK/TO-263-3
CSD19532KTT
MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Texas Instruments
4,223
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
500 : ¥10.83316
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200A（Ta）
6V，10V
5.6 毫欧 @ 90A，10V
3.2V @ 250µA
57 nC @ 10 V
±20V
5060 pF @ 50 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（DDPAK-3）
TO-263-4，D2PAK（3 引线 + 凸片），TO-263AA
TO-264
IXFK220N17T2
MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
Littelfuse Inc.
413
现货
725
工厂
1 : ¥80.54000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
170 V
220A（Tc）
10V
6.3 毫欧 @ 60A，10V
5V @ 8mA
500 nC @ 10 V
±20V
31000 pF @ 25 V
-
1250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-264AA（IXFK）
TO-264-3，TO-264AA
IQE030N06NM5SCATMA1
IQE030N06NM5SCATMA1
OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Infineon Technologies
6,000
现货
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
6,000 : ¥10.77332
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
21A（Ta），132A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 50µA
49 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-WHSON-8-1
8-PowerWDFN
PowerPAK SO-8
SIRA50DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.73247
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
62.5A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
194 nC @ 10 V
+20V，-16V
8445 pF @ 20 V
-
6.25W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。