单 FET，MOSFET

结果 : 4
系列
CoolMOS™ CFD7AOptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
24A（Tc）50A（Tc）160A（Tc）180A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 100A，10V1.6 毫欧 @ 100A，10V5.8 毫欧 @ 25A，10V99 毫欧 @ 12.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 13µA4V @ 110µA4V @ 180µA4.5V @ 630µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18 nC @ 10 V53 nC @ 10 V137 nC @ 10 V225 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1090 pF @ 25 V2513 pF @ 400 V10920 pF @ 25 V17940 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
42W（Tc）127W（Tc）167W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-33PG-TO263-3PG-TO263-7-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Infineon Technologies
9,560
现货
1 : ¥7.88000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.10017
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
7V，10V
5.8 毫欧 @ 25A，10V
3.4V @ 13µA
18 nC @ 10 V
±20V
1090 pF @ 25 V
-
42W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-33
8-PowerTDFN
TO-263-7, D2Pak
IPB180N04S4H0ATMA1
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7-3
Infineon Technologies
1,573
现货
1 : ¥34.40000
剪切带（CT）
1,000 : ¥17.78277
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
180A（Tc）
10V
1.1 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 180µA
225 nC @ 10 V
±20V
17940 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-263-7, D2Pak
IPB160N04S4H1ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Infineon Technologies
770
现货
1 : ¥25.86000
剪切带（CT）
1,000 : ¥12.06841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
160A（Tc）
10V
1.6 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 110µA
137 nC @ 10 V
±20V
10920 pF @ 25 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-3
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R099CFD7AATMA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥43.59000
剪切带（CT）
1,000 : ¥22.54716
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
24A（Tc）
10V
99 毫欧 @ 12.5A，10V
4.5V @ 630µA
53 nC @ 10 V
±20V
2513 pF @ 400 V
-
127W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。