单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedRenesas Electronics Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.7A（Ta）50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17 毫欧 @ 25A，10V25 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
53.1 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2569 pF @ 30 V5000 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）1.8W（Ta），90W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 155°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
POWERDI3333-8TO-263
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMP6023LFGQ-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
5,154
现货
462,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.25745
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
4,874
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
800 : ¥12.87441
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
17 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
95 nC @ 10 V
±20V
5000 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），90W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。