单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V9.2 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 35µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.5 nC @ 10 V178 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
880 pF @ 25 V13530 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
46W（Tc）246W（Tc）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）TO-263-7
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB024N08BL7
MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7
onsemi
7,552
现货
88,000
工厂
1 : ¥37.60000
剪切带（CT）
800 : ¥22.69200
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
4.5V @ 250µA
178 nC @ 10 V
±20V
13530 pF @ 40 V
-
246W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C673NLAFT1G
MOSFET N-CHANNEL 60V 50A 5DFN
onsemi
3,710
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.14596
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
9.2 毫欧 @ 25A，10V
2V @ 35µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
880 pF @ 25 V
-
46W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。