单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Wolfspeed, Inc.
系列
-C3M™
产品状态
不适用于新设计在售
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
500 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A(Tc)63A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
43毫欧 @ 40A,15V3 欧姆 @ 1.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.6V @ 11.5mA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8 nC @ 10 V118 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
331 pF @ 25 V3357 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值)
57W(Tc)283W(Tc)
工作温度
-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
TO-247-4LTO-251-3
封装/外壳
TO-247-4TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
C3M0065100K
C3M0032120K
SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
324
现货
1 : ¥297.19000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
63A(Tc)
15V
43毫欧 @ 40A,15V
3.6V @ 11.5mA
118 nC @ 15 V
+15V,-4V
3357 pF @ 1000 V
-
283W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-251
AOU3N50
MOSFET N-CH 500V 2.8A TO251-3
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
2,059
现货
1 : ¥5.42000
管件
-
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
2.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.5A,10V
4.5V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±30V
331 pF @ 25 V
-
57W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251-3
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。