单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-HU-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
450mA（Ta）6A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.28mOhm @ 50A，10V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2.5V @ 1mA3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.8 nC @ 4.5 V91 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 18 V840 pF @ 10 V8100 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），170W（Tc）1W（Ta）2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）SOT-223-3SOT-23F
封装/外壳
8-PowerVDFNSOT-23-3 扁平引线TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
768,922
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73442
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-223-3
ZVP2106GTA
MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
Diodes Incorporated
32,146
现货
61,000
工厂
1 : ¥8.37000
剪切带（CT）
1,000 : ¥3.67487
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
450mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
100 pF @ 18 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
18,471
现货
1 : ¥25.70000
剪切带（CT）
5,000 : ¥8.24059
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
4.5V，10V
1.28mOhm @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
91 nC @ 10 V
±20V
8100 pF @ 30 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。