单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiVishay Siliconix
系列
PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.2A（Ta）90A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19 毫欧 @ 20A，10V27 毫欧 @ 8.2A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 5 V326 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1872 pF @ 20 V11100 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）13.6W（Ta），375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOICTO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS4685
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
onsemi
20,330
现货
12,500
工厂
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.65234
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
8.2A（Ta）
4.5V，10V
27 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
27 nC @ 5 V
±20V
1872 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-263 (D2Pak)
SUM90P10-19L-E3
MOSFET P-CH 100V 90A TO263
Vishay Siliconix
9,631
现货
1 : ¥35.63000
剪切带（CT）
800 : ¥21.49189
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 20A，10V
3V @ 250µA
326 nC @ 10 V
±20V
11100 pF @ 50 V
-
13.6W（Ta），375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。