单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
GeneSiC SemiconductorLittelfuse Inc.
系列
-G2R™Polar P3™
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
2000 V2500 V3000 V3300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）1.5A（Tc）63A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 40A，20V40 欧姆 @ 500mA，10V40 欧姆 @ 750mA，10V50 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 10mA（典型值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23.5 nC @ 10 V30.6 nC @ 10 V41 nC @ 10 V340 nC @ 20 V
Vgs（最大值）
±20V+25V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
646 pF @ 25 V895 pF @ 25 V1660 pF @ 25 V7301 pF @ 1000 V
功率耗散（最大值）
125W（Tc）195W（Tc）250W（Tc）536W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
TO-247-4TO-263AATO-268AATO-268HV（IXTT）
封装/外壳
TO-247-4TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
G2R50MT33K
G2R50MT33K
3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET
GeneSiC Semiconductor
272
现货
1 : ¥2,427.39000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
3300 V
63A（Tc）
20V
50 毫欧 @ 40A，20V
3.5V @ 10mA（典型值）
340 nC @ 20 V
+25V，-10V
7301 pF @ 1000 V
-
536W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-263AB
IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Littelfuse Inc.
630
现货
1 : ¥77.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2000 V
1A（Tc）
10V
40 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
23.5 nC @ 10 V
±20V
646 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-268
IXTT1N250HV
MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO268
Littelfuse Inc.
926
现货
1 : ¥382.33000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
2500 V
1.5A（Tc）
10V
40 欧姆 @ 750mA，10V
4V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1660 pF @ 25 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
TO-268
IXTT1N300P3HV
MOSFET N-CH 3000V 1A TO268
Littelfuse Inc.
0
现货
查看交期
1 : ¥320.43000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
3000 V
1A（Tc）
10V
50 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 250µA
30.6 nC @ 10 V
±20V
895 pF @ 25 V
-
195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-268HV（IXTT）
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。