单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A（Ta）8A（Tc）58A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12.3 毫欧 @ 46A，10V21 毫欧 @ 5A，4.5V62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.4V @ 250µA3.5V @ 46µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.3 nC @ 4.5 V35 nC @ 10 V41 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
487 pF @ 20 V2500 pF @ 50 V3950 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）5W（Tc）94W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
6-TSOPPG-TO263-3SOT-23-3
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2120U-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
391,395
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54488
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.8A（Ta）
1.8V，4.5V
62 毫欧 @ 4.2A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
487 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5540
SQ3495EV-T1_GE3
MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,339
现货
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80616
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
8A（Tc）
2.5V，10V
21 毫欧 @ 5A，4.5V
1.4V @ 250µA
41 nC @ 4.5 V
±12V
3950 pF @ 20 V
-
5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Infineon Technologies
5,504
现货
1 : ¥14.53000
剪切带（CT）
1,000 : ¥6.91298
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
58A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 46A，10V
3.5V @ 46µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
94W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。