单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
51A（Ta），430A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.67 毫欧 @ 50A，10V1.5 毫欧 @ 150A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
140 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9281 pF @ 25 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3.9W（Ta），273W（Tc）375W（Tc）
供应商器件封装
8-DFNW（8.3x8.4）PG-HSOF-8-1
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
21,745
现货
1 : ¥49.91000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53269
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
8-TDFN
NVMTS0D7N04CTXG
MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
onsemi
3,000
现货
9,000
工厂
1 : ¥68.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥35.46303
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
51A（Ta），430A（Tc）
10V
0.67 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
9281 pF @ 25 V
-
3.9W（Ta），273W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-DFNW（8.3x8.4）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。