单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
25 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）1.5A（Ta）2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.7V，4.5V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 3.2A，10V470 毫欧 @ 1.5A，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.06V @ 250µA2.5V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V12.3 nC @ 10 V322 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V606 pF @ 20 V950 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）600mW（Ta）800mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TSMT6（SC-95）
封装/外壳
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
286,402
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
61,501
现货
801,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT6_TSMT6 Pkg
RQ6P015SPTR
MOSFET P-CH 100V 1.5A TSMT6
Rohm Semiconductor
23,108
现货
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.38684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.5A（Ta）
4V，10V
470 毫欧 @ 1.5A，10V
2.5V @ 1mA
322 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 25 V
-
600mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT6（SC-95）
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。