单 FET，MOSFET

结果 : 10
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）600mA（Ta）13A（Ta），49A（Tc）13A（Ta），53A（Tc）14A（Ta），44A（Tc）20A（Ta），78A（Tc）21A（Ta），98A（Tc）74A（Tc）90A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2 毫欧 @ 50A，10V3.4 毫欧 @ 50A，10V3.7 毫欧 @ 30A，10V7 毫欧 @ 50A，10V7.2 毫欧 @ 37A，10V8 毫欧 @ 30A，10V9 毫欧 @ 20A，10V9.3 毫欧 @ 40A，10V900 毫欧 @ 430mA，4.5V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2V @ 14µA2V @ 250µA2.35V @ 25µA3.3V @ 41µA3.5V @ 75µA3.8V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.87 nC @ 10 V15 nC @ 10 V17 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V27 nC @ 10 V29 nC @ 10 V41 nC @ 10 V55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
22 pF @ 25 V175 pF @ 16 V1100 pF @ 15 V1180 pF @ 10 V1800 pF @ 20 V1900 pF @ 20 V2100 pF @ 15 V2100 pF @ 40 V3000 pF @ 30 V4000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
370mW（Ta）550mW（Ta）2.5W（Ta），35W（Tc）2.5W（Ta），37W（Tc）2.5W（Ta），52W（Tc）2.5W（Ta），69W（Tc）2.5W（Ta），74W（Tc）3.2W（Ta），30W（Tc）114W（Tc）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-6PG-TDSON-8-7PQFN（5x6）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
49,811
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.35514
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
Infineon Technologies
12,543
现货
1 : ¥9.11000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.59590
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），98A（Tc）
4.5V，10V
3.2 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
25,598
现货
1 : ¥14.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.26607
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
74A（Tc）
6V，10V
7.2 毫欧 @ 37A，10V
3.8V @ 36µA
29 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC070N10NS3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Infineon Technologies
15,723
现货
1 : ¥16.25000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.05144
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
6V，10V
7 毫欧 @ 50A，10V
3.5V @ 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
4000 pF @ 50 V
-
114W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
370,263
现货
1,347,000
工厂
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP2004K-7
MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
943,705
现货
645,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32203
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
600mA（Ta）
1.8V，4.5V
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
175 pF @ 16 V
-
550mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC0904NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A/78A TDSON
Infineon Technologies
29,145
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.38384
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
3.7 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC034N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 100A TDSON
Infineon Technologies
11,444
现货
1 : ¥15.02000
剪切带（CT）
5,000 : ¥6.30901
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
6V，10V
3.4 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 41µA
41 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），74W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IRFH8334TRPBF
MOSFET N-CH 30V 14A/44A PQFN
Infineon Technologies
10,490
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
4,000 : ¥1.38536
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
9 毫欧 @ 20A，10V
2.35V @ 25µA
15 nC @ 10 V
±20V
1180 pF @ 10 V
-
3.2W（Ta），30W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC080N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 13A/53A TDSON
Infineon Technologies
23,663
现货
1 : ¥10.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.46372
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta），53A（Tc）
4.5V，10V
8 毫欧 @ 30A，10V
2V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
显示
/ 10

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。