单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
310mA（Ta）2.3A（Ta），3.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4V2.5V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.5 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V31 pF @ 25 V405 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
280mW（Tj）480mW（Ta）860mW（Ta），1.6W（Tc）
供应商器件封装
SC-70-3（SOT323）SOT-23-3（TO-236）X1-DFN1212-3
封装/外壳
3-UDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SC-70-3
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
42,043
现货
1 : ¥1.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28770
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
3-XDFN
DMN62D0LFD-7
MOSFET N-CH 60V 310MA 3DFN
Diodes Incorporated
94,322
现货
183,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.37136
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
1.8V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.5 nC @ 4.5 V
±20V
31 pF @ 25 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1212-3
3-UDFN
SOT-23(TO-236)
SI2301CDS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
842
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.82533
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.3A（Ta），3.1A（Tc）
2.5V，4.5V
112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW（Ta），1.6W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。