单 FET，MOSFET

结果 : 2
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Ta），80A（Tc）15A（Ta），80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 毫欧 @ 80A，10V9 毫欧 @ 80A，10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
66 nC @ 10 V110 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3000 pF @ 25 V6000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
175W（Tc）310W（Tc）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
FDP3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A TO220-3
onsemi
677
现货
800
工厂
1 : ¥28.32000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Ta），80A（Tc）
6V，10V
9 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
FDP070AN06A0
MOSFET N-CH 60V 15A/80A TO220-3
onsemi
183
现货
1 : ¥19.70000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta），80A（Tc）
10V
7 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
66 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 25 V
-
175W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。