单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V55 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）3.6A（Ta）8A（Tc）11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 3.6A，10V52 毫欧 @ 6.7A，4.5V175 毫欧 @ 6.6A，10V2 欧姆 @ 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.4V @ 250µA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.9 nC @ 4.5 V11.2 nC @ 10 V19 nC @ 10 V26 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
64 pF @ 25 V350 pF @ 25 V495 pF @ 15 V665 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）770mW（Ta）3.5W（Ta），10.9W（Tc）38W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerPAK® CHIPFET™ 单SOT-23-3TO-252AA (DPAK)X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNPowerPAK® CHIPFET™ 单TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
X2-DFN1006-3
DMN62D1LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN
Diodes Incorporated
111,346
现货
3,430,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.47499
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
1.5V，4V
2 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
0.9 nC @ 4.5 V
±20V
64 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
SOT-23-3
DMG3406L-7
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
Diodes Incorporated
103,976
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.60559
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 3.6A，10V
2V @ 250µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
495 pF @ 15 V
-
770mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IRFR9024NTRLPBF
MOSFET P-CH 55V 11A DPAK
Infineon Technologies
25,765
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.99023
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
11A（Tc）
10V
175 毫欧 @ 6.6A，10V
4V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
Pkg 5940
SI5459DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Vishay Siliconix
2,637
现货
1 : ¥8.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.97097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
8A（Tc）
2.5V，4.5V
52 毫欧 @ 6.7A，4.5V
1.4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±12V
665 pF @ 10 V
-
3.5W（Ta），10.9W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® CHIPFET™ 单
PowerPAK® CHIPFET™ 单
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。