单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
STripFET™STripFET™ IIITrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V60 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A(Tc)37A(Tc)120A(Tc)270A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.5 毫欧 @ 80A,10V10.1 毫欧 @ 30A,10V47.5 毫欧 @ 10A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
48 nC @ 10 V150 nC @ 10 V190 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1805 pF @ 75 V7000 pF @ 50 V7500 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
104W(Tc)300W(Tc)375W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-
供应商器件封装
10-PowerSODPAKPowerPAK® SO-8TO-263(D2PAK)
封装/外壳
PowerPAK® SO-8PowerSO-10 裸露底部焊盘TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,120
现货
1 : ¥45.32000
剪切带(CT)
600 : ¥27.36328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
270A(Tc)
10V
1.5 毫欧 @ 80A,10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
PowerPAK SO-8
SIR873DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.80636
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
37A(Tc)
10V
47.5 毫欧 @ 10A,10V
4V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
1805 pF @ 75 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SUM70101EL-GE3
MOSFET P-CH 100V 120A TO263
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥33.41000
剪切带(CT)
800 : ¥20.18586
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
4.5V,10V
10.1 毫欧 @ 30A,10V
2.5V @ 250µA
190 nC @ 10 V
±20V
7000 pF @ 50 V
-
375W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD30NF06LAG
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
2,500 : ¥3.41590
卷带(TR)
卷带(TR)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
35A(Tc)
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表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。