单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Central Semiconductor CorpVishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
650mA（Ta）2.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
360 毫欧 @ 350mA，4.5V3 欧姆 @ 1.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.2 nC @ 4.5 V14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 16 V220 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）50W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
DPAKSOT-523
封装/外壳
SOT-523TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9214TRPBF
MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK
Vishay Siliconix
5,761
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,000 : ¥5.51412
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
2.7A（Tc）
10V
3 欧姆 @ 1.7A，10V
4V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
220 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
20,266
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.21665
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
650mA（Ta）
1.8V，4.5V
360 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
1.2 nC @ 4.5 V
8V
100 pF @ 16 V
-
300mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。