单 FET，MOSFET

结果 : 7
制造商
Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.onsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-STripFET™ IITrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
40 V60 V80 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.3A（Ta）14A（Tc）23A（Ta），157A（Tc）40.4A（Ta），165A（Tc）41.6A（Ta），131A（Tc）93A（Tc）140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.63 毫欧 @ 15A，10V1.75 毫欧 @ 20A，10V2.8 毫欧 @ 50A，10V12 毫欧 @ 70A，10V19 毫欧 @ 30A，10V235 毫欧 @ 6.5A，10V350 毫欧 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.1 nC @ 5 V18 nC @ 10 V64 nC @ 10 V83 nC @ 10 V100 nC @ 10 V350 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
424 pF @ 50 V680 pF @ 25 V3770 pF @ 30 V4120 pF @ 40 V5500 pF @ 20 V14100 pF @ 25 V31400 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.1W（Ta）3.8W（Ta），166W（Tc）4.8W（Ta），48W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）100W（Tc）375W（Tc）568W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）DPAKPowerPAK® SO-8SOT-26TO-263（D2PAK）TO-268AA
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8SOT-23-6TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 26
ZXMP10A17E6TA
MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
Diodes Incorporated
23,504
现货
240,000
工厂
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.30676
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1.3A（Ta）
6V，10V
350 毫欧 @ 1.4A，10V
4V @ 250µA
6.1 nC @ 5 V
±20V
424 pF @ 50 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16NF25
MOSFET N-CH 250V 14A DPAK
STMicroelectronics
6,727
现货
1 : ¥13.71000
剪切带（CT）
2,500 : ¥6.18573
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
14A（Tc）
10V
235 毫欧 @ 6.5A，10V
4V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SIR626ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 60V 40.4A/165A PPAK
Vishay Siliconix
17,387
现货
1 : ¥16.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.34039
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
40.4A（Ta），165A（Tc）
6V，10V
1.75 毫欧 @ 20A，10V
3.5V @ 250µA
83 nC @ 10 V
±20V
3770 pF @ 30 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS6H801NT1G
MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
onsemi
2,382
现货
1 : ¥18.55000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.79007
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
23A（Ta），157A（Tc）
6V，10V
2.8 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
64 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），166W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-263 (D2Pak)
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
Vishay Siliconix
2,846
现货
1 : ¥27.09000
剪切带（CT）
800 : ¥16.37415
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
93A（Tc）
4.5V，10V
19 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 250µA
350 nC @ 10 V
±20V
14100 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-268
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
Littelfuse Inc.
349
现货
1 : ¥163.38000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
140A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 70A，10V
4V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±15V
31400 pF @ 25 V
-
568W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-268AA
TO-268-3，D3PAK（2 引线 + 凸片），TO-268AA
PowerPak SO-8L
SIJA52ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Vishay Siliconix
4,011
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.53871
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
41.6A（Ta），131A（Tc）
4.5V，10V
1.63 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 250µA
100 nC @ 10 V
+20V，-16V
5500 pF @ 20 V
-
4.8W（Ta），48W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。