单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTexas Instruments
系列
-NexFET™PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA（Ta）4.3A（Ta）10A（Ta）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 35A，10V16 毫欧 @ 10A，4.5V45 毫欧 @ 4A，4.5V750 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V6.8 nC @ 4.5 V29 nC @ 6 V64 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V634 pF @ 10 V3405 pF @ 6 V9000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）800mW（Ta）2.4W（Ta）3.2W（Ta），195W（Tc）
供应商器件封装
6-MicroFET（2x2）8-VSON-CLIP（5x6）SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,175
现货
2,187,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DMP2045U-7
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Diodes Incorporated
74,819
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
45 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
6.8 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-WDFN Exposed Pad
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
onsemi
7,315
现货
1 : ¥10.75000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.45833
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
10A（Ta）
1.8V，4.5V
16 毫欧 @ 10A，4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 6 V
±8V
3405 pF @ 6 V
-
2.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-MicroFET（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
8-Power TDFN
CSD17573Q5B
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,389
现货
1 : ¥13.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.61091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Ta）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 35A，10V
1.8V @ 250µA
64 nC @ 4.5 V
±20V
9000 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。