单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）3.8A（Ta）20A（Ta），57A（Tc）24A（Ta），72A（Tc）60A（Tc）100A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1 毫欧 @ 20A，10V1.9 毫欧 @ 25A，10V3.3 毫欧 @ 24A，10V4.6 毫欧 @ 20A，10V70 毫欧 @ 3.8A，10V80 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.8 nC @ 10 V16.8 nC @ 10 V23 nC @ 10 V220 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
336 pF @ 25 V459 pF @ 40 V1080 pF @ 15 V1500 pF @ 15 V11700 pF @ 15 V14300 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
1.08W（Ta）1.1W（Ta）3W（Ta），25W（Tc）3W（Ta），27W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOPPowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-26
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8SOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 26
ZXMN6A08E6TA
MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Diodes Incorporated
27,984
现货
780,000
工厂
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52802
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.8A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4.8A，10V
1V @ 250µA
5.8 nC @ 10 V
±20V
459 pF @ 40 V
-
1.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
PowerPAK SO-8
SIRA00DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
7,219
现货
1 : ¥17.24000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.76609
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
1 毫欧 @ 20A，10V
2.2V @ 250µA
220 nC @ 10 V
+20V，-16V
11700 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7141DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
22,992
现货
1 : ¥18.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.27116
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
60A（Tc）
4.5V，10V
1.9 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±20V
14300 pF @ 10 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
17,185
现货
1,917,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.84681
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
70 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
-
±20V
336 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
HSOP8
RS1E200GNTB
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Rohm Semiconductor
2,450
现货
1 : ¥6.73000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.21665
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
20A（Ta），57A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 1mA
16.8 nC @ 10 V
±20V
1080 pF @ 15 V
-
3W（Ta），25W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E240GNTB
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Rohm Semiconductor
8,661
现货
1 : ¥7.64000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.89491
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Ta），72A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 24A，10V
2.5V @ 1mA
23 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
3W（Ta），27W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。