单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedEPCToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-eGaN®TrenchFET®U-MOSVIII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）4.3A（Tc）8A（Tc）28A（Tc）29A（Ta）30A（Tc）32A（Tc）36A（Tc）46A（Tc）52A（Tc）92A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 46A，10V6 毫欧 @ 16A，5V16 毫欧 @ 14.4A，10V17.3 毫欧 @ 10A，10V18 毫欧 @ 3.5A，10V25 毫欧 @ 10.2A，10V25 毫欧 @ 10A，10V33 毫欧 @ 10A，10V85 毫欧 @ 3.5A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V95 毫欧 @ 4.5A，10V10 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA2.5V @ 250µA2.5V @ 4mA3V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.4 nC @ 5 V12 nC @ 10 V40 nC @ 10 V58 nC @ 10 V80 nC @ 10 V100 nC @ 10 V108 nC @ 10 V140 nC @ 10 V150 nC @ 10 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
40 pF @ 25 V550 pF @ 30 V851 pF @ 50 V1140 pF @ 30 V3400 pF @ 25 V4500 pF @ 25 V4586 pF @ 30 V4700 pF @ 40 V4710 pF @ 30 V5200 pF @ 50 V5900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
330mW（Ta）800mW（Ta），142W（Tc）3W（Tc）5.2W（Ta），83.3W（Tc）45W（Tc）68W（Tc）83W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TA）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DSOP AdvancePowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）模具
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVN3310FTA
MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3
Diodes Incorporated
7,347
现货
984,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86650
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
100mA（Ta）
10V
10 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
330mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ457EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 36A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
32,766
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.21217
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
36A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
3400 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
38,463
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
34,207
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.76620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
52A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SI7469DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
21,993
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
5.2W（Ta），83.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak SO-8L
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,978
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 14.4A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
7,615
现货
1 : ¥28.00000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.25655
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
92A（Tc）
10V
4.5 毫欧 @ 46A，10V
4V @ 1mA
58 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
800mW（Ta），142W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DSOP Advance
8-PowerVDFN
PowerPak SO-8L
SQJ465EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
8,287
现货
1 : ¥10.51000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.35760
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
8A（Tc）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.5A，10V，1.17 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1140 pF @ 30 V
-
45W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPak® SO-8
SQJA81EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 46A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
5,874
现货
1 : ¥17.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥7.97451
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
46A（Tc）
4.5V，10V
17.3 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
5900 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SOT-23-3
SQ2362ES-T1_GE3
MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
11,784
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86683
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4.3A（Tc）
10V
95 毫欧 @ 4.5A，10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 30 V
-
3W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
EPC
0
现货
查看交期
1 : ¥19.79000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.93286
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
29A（Ta）
5V
6 毫欧 @ 16A，5V
2.5V @ 4mA
7.4 nC @ 5 V
+6V，-4V
851 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
模具
模具
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。