单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
260mA（Ta）5.6A（Ta）6.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 8.7A，10V25 毫欧 @ 9.8A，10V3 欧姆 @ 115mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
25 nC @ 10 V40 nC @ 10 V
功率耗散（最大值）
430mW（Ta）1.5W（Ta）
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFNPowerPAK® 1212-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7414DN-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
39,172
现货
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.51412
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.6A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 8.7A，10V
3V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7421DN-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 6.4A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
3,669
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.75375
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.4A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 9.8A，10V
3V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
-
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
X2-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Diodes Incorporated
602
现货
855,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43394
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
-
±20V
25 pF @ 25 V
-
430mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。