单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™π-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）1.1A（Ta）12A（Ta），35A（Tc）21A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3.3V，10V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.8 毫欧 @ 16A，10V9.5 毫欧 @ 11.5A，10V390 毫欧 @ 500mA，10V700毫欧 @ 200MA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.7V @ 250µA1.8V @ 100µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
33.7 nC @ 10 V54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 5 V86 pF @ 15 V1674 pF @ 15 V3640 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）800mW（Ta）940mW（Ta）2.8W（Ta），63W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）PowerDI3333-8（UX 类）UFMUSM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
70,931
现货
1 : ¥2.46000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54094
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
400mA（Ta）
3.3V，10V
700毫欧 @ 200MA，10V
1.8V @ 100µA
-
±20V
20 pF @ 5 V
-
150mW（Ta）
150°C
表面贴装型
USM
SC-70，SOT-323
PowerDI3333-8
DMP3013SFV-7
MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Diodes Incorporated
66,136
现货
54,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.55818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±25V
1674 pF @ 15 V
-
940mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI3333-8（UX 类）
8-PowerVDFN
8-VSONP
CSD17581Q3A
MOSFET N-CH 30V 21A 8VSON
Texas Instruments
6,380
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.33342
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
21A（Ta）
4.5V，10V
3.8 毫欧 @ 16A，10V
1.7V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3640 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta），63W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
0
现货
查看交期
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.80719
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Ta）
4V，10V
390 毫欧 @ 500mA，10V
1.8V @ 100µA
-
±20V
86 pF @ 15 V
-
800mW（Ta）
150°C
表面贴装型
UFM
3-SMD，扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。