单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.5A（Tc）80A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.35 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
77 nC @ 10 V182 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3540 pF @ 20 V9400 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），5.7W（Tc）69.4W（Tc）
供应商器件封装
8-SOICPowerPAK® SO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® SO-8
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SO-8L
SIJ438DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
17,595
现货
1 : ¥9.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.12598
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
80A（Tc）
4.5V，10V
1.35 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
+20V，-16V
9400 pF @ 20 V
-
69.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
8-SOIC
SI4124DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20.5A 8SO
Vishay Siliconix
2,462
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.38892
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
20.5A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 14A，10V
3V @ 250µA
77 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），5.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。