单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-NexFET™OptiMOS™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）2.5A（Ta）50A（Tc）100A（Ta）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.5 毫欧 @ 150A，10V2.2 毫欧 @ 28A，10V11 毫欧 @ 50A，10V90 毫欧 @ 2.5A，10V185 毫欧 @ 1A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 1mA2.3V @ 250µA3V @ 250µA3.8V @ 250µA4V @ 23µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.1 nC @ 4.2 V8.2 nC @ 10 V33 nC @ 10 V53 nC @ 10 V211 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V371.3 pF @ 15 V2700 pF @ 30 V4230 pF @ 30 V16000 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
760mW（Ta）1W（Ta）2.5W（Ta），50W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8-5SOT-23-3SOT-23F
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
Infineon Technologies
8,030
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.22079
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
10V
11 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 23µA
33 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
9,795
现货
1 : ¥25.45000
剪切带（CT）
2,500 : ¥7.79273
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
x-xSOF-8-1
IPT015N10N5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
21,745
现货
1 : ¥49.91000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.53269
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
300A（Tc）
6V，10V
1.5 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 250µA
211 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 50 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
74,409
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63492
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2A（Ta）
1.8V，8V
185 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
DMG2307L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
Diodes Incorporated
102,275
现货
534,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68117
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
8.2 nC @ 10 V
±20V
371.3 pF @ 15 V
-
760mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。