单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedonsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）320mA（Ta）2A（Ta）26A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.8V，8V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 20A，10V185 毫欧 @ 1A，8V1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA1.2V @ 1mA1.5V @ 250µA2.3V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V1.1 nC @ 4.2 V1.4 nC @ 4.5 V54 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
24.5 pF @ 20 V50 pF @ 10 V115 pF @ 10 V130 pF @ 10 V3600 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）300mW（Ta）1W（Ta）2.5W（Ta），60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）SOT-23FSOT-323TO-252（DPAK）UMT3F
封装/外壳
SC-70，SOT-323SC-85SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,847
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
241,215
现货
381,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49899
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
26,232
现货
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.99940
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
26A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 20A，10V
2.4V @ 250µA
54 nC @ 10 V
±20V
3600 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
UMT3F
RU1C002ZPTCL
MOSFET P-CH 20V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
157,231
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38482
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA，4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
UMT3F
SC-85
74,630
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.63495
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2A（Ta）
1.8V，8V
185 毫欧 @ 1A，8V
1.2V @ 1mA
1.1 nC @ 4.2 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。