单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
OptiMOS™U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 500mA，10V3.6 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA2.5V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13.5 pF @ 3 V20 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）500mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23VESM
封装/外壳
SOT-723TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
66,579
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
8,000 : ¥0.32769
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100mA（Ta）
2.5V，4V
3.6 欧姆 @ 10mA，4V
1.5V @ 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
VESM
SOT-723
SOT-23-3
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
102,635
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40272
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。