单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedonsemiTaiwan Semiconductor Corporation
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Ta）3.2A（Ta）4.7A（Ta）12A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.5 毫欧 @ 11.5A，10V39 毫欧 @ 4.7A，4.5V80 毫欧 @ 1.5A，4.5V85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.5 nC @ 4.5 V12.5 nC @ 4.5 V33.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
627 pF @ 10 V675 pF @ 10 V1020 pF @ 10 V1674 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
420mW（Ta）940mW（Ta）1.25W（Ta）1.4W（Ta）
供应商器件封装
PowerDI3333-8（UX 类）SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2160U-7
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
58,140
现货
1,275,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
80 毫欧 @ 1.5A，4.5V
900mV @ 250µA
-
±12V
627 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2323CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
46,008
现货
1 : ¥6.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.42463
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.7A（Ta）
1.8V，4.5V
39 毫欧 @ 4.7A，4.5V
1V @ 250µA
12.5 nC @ 4.5 V
±8V
1020 pF @ 10 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4101PT1H
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
onsemi
22,092
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.16141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
675 pF @ 10 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMP3013SFV-7
MOSFET P-CH 30V 12A PWRDI3333
Diodes Incorporated
66,136
现货
54,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.55818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
12A（Ta），35A（Tc）
4.5V，10V
9.5 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
33.7 nC @ 10 V
±25V
1674 pF @ 15 V
-
940mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI3333-8（UX 类）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。