单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial Co
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
30 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.2A（Ta）30A（Tc）80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 18A，10V35 毫欧 @ 16A，10V65 毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.6 nC @ 10 V25 nC @ 5 V28 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
448 pF @ 15 V880 pF @ 25 V1600 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）68W（Tc）70W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN3A14FTA
MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
13,282
现货
414,000
工厂
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.87103
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.2A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.2A，10V
2.2V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
448 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MBRD6100CT-TP
MCU80N03-TP
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
Micro Commercial Co
8,992
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.00864
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
80A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 18A，10V
2.5V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 15 V
-
70W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-220AB PKG
IRLZ34NPBF
MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
Infineon Technologies
49,011
现货
1 : ¥11.16000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
30A（Tc）
4V，10V
35 毫欧 @ 16A，10V
2V @ 250µA
25 nC @ 5 V
±16V
880 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。