单 FET，MOSFET

结果 : 8
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5A（Ta），6.3A（Tc）5.1A（Tc）5.97A（Tc）6.2A（Ta）6.3A（Tc）7.4A（Tc）8A（Tc）15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.5 毫欧 @ 15A，10V24 毫欧 @ 6.2A，4.5V35.5 毫欧 @ 5A，10V40 毫欧 @ 5A，10V60 毫欧 @ 4.7A，4.5V74 毫欧 @ 4.1A，10V850 毫欧 @ 4.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V12.4 nC @ 5 V15 nC @ 10 V20 nC @ 10 V42 nC @ 10 V63 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
325 pF @ 15 V450 pF @ 15 V610 pF @ 10 V640 pF @ 20 V895 pF @ 10 V1300 pF @ 25 V2000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
1.4W（Ta）1.6W（Ta）1.7W（Ta），2.7W（Tc）2W（Ta），3.2W（Tc）2W（Ta），3.5W（Tc）2W（Ta），3W（Tc）125W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-TSOP8-SOSuperSOT™-6TO-220AB
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-220-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220AB
IRF840PBF
MOSFET N-CH 500V 8A TO220AB
Vishay Siliconix
3,098
现货
1 : ¥15.27000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
8A（Tc）
10V
850 毫欧 @ 4.8A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-220AB
TO-220-3
SG6858TZ
FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
onsemi
32,329
现货
6,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18633
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.2A（Ta）
2.5V，4.5V
24 毫欧 @ 6.2A，4.5V
1.5V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±12V
895 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3457CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.1A 6TSOP
Vishay Siliconix
32,236
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43338
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.1A（Tc）
4.5V，10V
74 毫欧 @ 4.1A，10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
450 pF @ 15 V
-
2W（Ta），3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
Vishay Siliconix
23,896
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43338
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.97A（Tc）
2.5V，4.5V
60 毫欧 @ 4.7A，4.5V
1.5V @ 250µA
12.4 nC @ 5 V
±12V
610 pF @ 10 V
-
2W（Ta），3.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
8 SO
DMN3009SSS-13
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO T&R 2
Diodes Incorporated
1,616
现货
195,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.72200
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta）
4.5V，10V
5.5 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TSOP-6-Single
SI3456DDV-T1-BE3
N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
4,397
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83307
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta），6.3A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
325 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3456DDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Vishay Siliconix
4,940
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.90835
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6.3A（Tc）
4.5V，10V
40 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
325 pF @ 15 V
-
1.7W（Ta），2.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
Pkg 5540
SI3438DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Vishay Siliconix
15,435
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.62176
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
7.4A（Tc）
4.5V，10V
35.5 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
640 pF @ 20 V
-
2W（Ta），3.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
6-TSOP
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。