单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）46A（Tc）50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 24.9A，10V45 毫欧 @ 24.9A，10V70 毫欧 @ 15.1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1.24mA4V @ 1.25mA4.5V @ 760µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
67 nC @ 10 V93 nC @ 10 V107 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2721 pF @ 400 V4340 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）
156W（Tc）227W（Tc）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO263-3
封装/外壳
TO-220-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R045C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
Infineon Technologies
821
现货
1 : ¥93.92000
剪切带（CT）
1,000 : ¥51.43902
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
46A（Tc）
10V
45 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
IPP60R070CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO220-3
Infineon Technologies
950
现货
1 : ¥46.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
31A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 15.1A，10V
4.5V @ 760µA
67 nC @ 10 V
±20V
2721 pF @ 400 V
-
156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
IPP60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3
Infineon Technologies
1,918
现货
1 : ¥85.30000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
50A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 24.9A，10V
4V @ 1.24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。