单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
onsemiTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-Dual Cool™, PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20A（Ta），129A（Tc）52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.14 毫欧 @ 20A，10V8.5 毫欧 @ 13A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.3 nC @ 10 V107 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
817 pF @ 15 V7850 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），156W（Tc）37W（Tc）
供应商器件封装
8-Dual Cool™888-PDFN（3.1x3.1）
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-PQFN
FDMT800120DC
MOSFET N-CH 120V 20A 8DLCOOL88
onsemi
2,313
现货
1 : ¥52.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥28.03780
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
20A（Ta），129A（Tc）
6V，10V
4.14 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
107 nC @ 10 V
±20V
7850 pF @ 60 V
-
3.2W（Ta），156W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-Dual Cool™88
8-PowerVDFN
11,910
现货
1 : ¥5.17000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.64843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
52A（Tc）
4.5V，10V
8.5 毫欧 @ 13A，10V
2.5V @ 250µA
14.3 nC @ 10 V
±20V
817 pF @ 15 V
-
37W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PDFN（3.1x3.1）
8-PowerWDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。