单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7CoolMOS™S7HEXFET®OptiMOS™QFET®STripFET™ IIU-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V80 V100 V600 V700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）270mA（Ta）3.2A（Ta）3.5A（Ta）6.6A（Tc）12.5A（Tc）16A（Tc）22A（Tc）23A（Tc）80A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V1.8V，4V4V，10V6V，10V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 100A，10V2 毫欧 @ 100A，10V2.7 毫欧 @ 100A，10V15 毫欧 @ 40A，10V22 毫欧 @ 23A，12V60 毫欧 @ 4A，4.5V125 毫欧 @ 11A，10V126 毫欧 @ 1A，4V210 毫欧 @ 4.9A，10V360 毫欧 @ 3A，10V480 毫欧 @ 3.9A，10V4.2 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA2.6V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 150µA3.5V @ 275µA3.8V @ 208µA3.8V @ 280µA4V @ 250µA4.5V @ 1.44mA4.5V @ 240µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.5 nC @ 4 V1.8 nC @ 10 V15 nC @ 4.5 V16.4 nC @ 10 V23 nC @ 10 V27 nC @ 10 V50 nC @ 10 V150 nC @ 12 V166 nC @ 10 V182 nC @ 10 V206 nC @ 10 V223 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±16V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 25 V87 pF @ 25 V123 pF @ 15 V350 pF @ 25 V500 pF @ 10 V517 pF @ 400 V1015 pF @ 400 V1500 pF @ 25 V5500 pF @ 25 V5639 pF @ 300 V12100 pF @ 40 V14800 pF @ 50 V16900 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）380mW（Ta）1W（Ta）3.75W（Ta），125W（Tc）40W（Tc）59.4W（Tc）64W（Tc）300W（Tc）375W（Tc）390W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAKPG-HSOF-8-2PG-TO252-3PG-TO252-3-344PG-TO263-3SC-88/SC70-6/SOT-363SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23FTO-252AA (DPAK)TO-263（D2PAK）
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-3638-PowerSFNSOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
显示
/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
271,663
现货
1 : ¥2.96000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 100mA，10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Diodes Incorporated
69,462
现货
2,283,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71143
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
270mA（Ta）
4V，10V
4.2 欧姆 @ 500mA，10V
3V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
87 pF @ 25 V
-
380mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD70R360P7SAUMA1
MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
Infineon Technologies
105,859
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.94115
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
700 V
12.5A（Tc）
10V
360 毫欧 @ 3A，10V
3.5V @ 150µA
16.4 nC @ 10 V
±16V
517 pF @ 400 V
-
59.4W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB017N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
2,257
现货
1 : ¥50.90000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.87848
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
1.7 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
16900 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TOLLLEADLESS
IPT60R022S7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 23A 8HSOF
Infineon Technologies
1,945
现货
1 : ¥91.54000
剪切带（CT）
2,000 : ¥48.65861
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
23A（Tc）
12V
22 毫欧 @ 23A，12V
4.5V @ 1.44mA
150 nC @ 12 V
±20V
5639 pF @ 300 V
-
390W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
SOT-363
NTJS3157NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SC88/SC70-6
onsemi
16,237
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.97584
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
60 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
500 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
TO252-3
IRFR9120NTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
Infineon Technologies
7,828
现货
1 : ¥9.36000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.86299
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
6.6A（Tc）
10V
480 毫欧 @ 3.9A，10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
350 pF @ 25 V
-
40W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO252-3
IPD60R210PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 16A TO252-3
Infineon Technologies
14,515
现货
1 : ¥9.77000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.84334
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
16A（Tc）
10V
210 毫欧 @ 4.9A，10V
4.5V @ 240µA
23 nC @ 10 V
±20V
1015 pF @ 400 V
-
64W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3-344
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB020N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Infineon Technologies
5,315
现货
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
1,000 : ¥16.00091
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
120A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 208µA
166 nC @ 10 V
±20V
12100 pF @ 40 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
D²PAK
STB80NF10T4
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
STMicroelectronics
602
现货
1 : ¥27.26000
剪切带（CT）
1,000 : ¥14.10789
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
80A（Tc）
10V
15 毫欧 @ 40A，10V
4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
±20V
5500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
10,104
现货
1 : ¥36.04000
剪切带（CT）
1,000 : ¥23.94800
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
120A（Tc）
6V，10V
2.7 毫欧 @ 100A，10V
3.5V @ 275µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
13,556
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75883
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Ta）
1.8V，4V
126 毫欧 @ 1A，4V
1V @ 1mA
1.5 nC @ 4 V
±12V
123 pF @ 15 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
TO-263
FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥15.76000
剪切带（CT）
800 : ¥8.83836
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
22A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 11A，10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
3.75W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。