单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™QFET®STripFET™ F6TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2A（Ta）9.4A（Tc）11A（Ta），55A（Tc）12A（Ta），50A（Tc）13A（Ta），49A（Tc）24A（Ta），100A（Tc）27A（Ta），100A（Tc）52A（Tc）60A（Tc）70A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.2 毫欧 @ 28A，10V2.2 毫欧 @ 50A，10V2.7 毫欧 @ 50A，10V6 毫欧 @ 11.5A，10V9.3 毫欧 @ 40A，10V10 毫欧 @ 50A，10V12.3 毫欧 @ 33A，10V14 毫欧 @ 6.5A，10V18 毫欧 @ 3.5A，10V85 毫欧 @ 3.2A，10V185 毫欧 @ 4.7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2V @ 14µA2V @ 49µA2.2V @ 23µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 33µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.3 nC @ 10 V17 nC @ 10 V24 nC @ 10 V25 nC @ 10 V28 nC @ 10 V34 nC @ 4.5 V45 nC @ 10 V53 nC @ 10 V64.2 nC @ 10 V85 nC @ 10 V108 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
550 pF @ 25 V606 pF @ 20 V1870 pF @ 40 V1900 pF @ 20 V2826 pF @ 15 V3500 pF @ 30 V3525 pF @ 25 V4230 pF @ 30 V4586 pF @ 30 V6800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）
800mW（Ta）2.5W（Ta），35W（Tc）2.5W（Ta），38W（Tc）2.5W（Ta），50W（Tc）2.5W（Ta），66W（Tc）2.5W（Ta），83W（Tc）2.8W（Ta）3W（Ta），79W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）83W（Tc）100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（5x6）PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5POWERDI3333-8PowerFlat™（5x6）PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6075S-7
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23
Diodes Incorporated
70,292
现货
351,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.54956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2A（Ta）
4.5V，10V
85 毫欧 @ 3.2A，10V
3V @ 250µA
12.3 nC @ 10 V
±20V
606 pF @ 20 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
51,681
现货
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.35523
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
13A（Ta），49A（Tc）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 40A，10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），35W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC100N06LS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 12A/50A TDSON
Infineon Technologies
6,465
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.62190
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 23µA
45 nC @ 10 V
±20V
3500 pF @ 30 V
-
2.5W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PowerPak SO-8L
SQJ459EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 52A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
16,682
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.76620
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
52A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 3.5A，10V
2.5V @ 250µA
108 nC @ 10 V
±20V
4586 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TDSON-8-1
BSC123N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON
Infineon Technologies
66,515
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.87771
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
11A（Ta），55A（Tc）
6V，10V
12.3 毫欧 @ 33A，10V
3.5V @ 33µA
25 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 40 V
-
2.5W（Ta），66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PowerFlat™
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,867
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.11367
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
60A（Tc）
4.5V，10V
14 毫欧 @ 6.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
34 nC @ 4.5 V
±20V
3525 pF @ 25 V
-
100W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（5x6）
8-PowerVDFN
PG-TDSON-8-1
BSC027N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 24A/100A TDSON
Infineon Technologies
54,394
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.90897
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
24A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.7 毫欧 @ 50A，10V
2V @ 49µA
85 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 20 V
-
2.5W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC022N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Infineon Technologies
19,139
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.18815
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
27A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
2.3V @ 250µA
28 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
3W（Ta），79W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
3,904
现货
1 : ¥19.38000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.74935
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
2.2 毫欧 @ 28A，10V
2.3V @ 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
4230 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMP3007SFG-7
MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333
Diodes Incorporated
7,583
现货
54,000
工厂
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.61860
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
70A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 11.5A，10V
3V @ 250µA
64.2 nC @ 10 V
±25V
2826 pF @ 15 V
-
2.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
TO-252AA
FQD11P06TM
MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥8.95000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.71471
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.4A（Tc）
10V
185 毫欧 @ 4.7A，10V
4V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±30V
550 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta），38W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。