单 FET,MOSFET

结果 : 12
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-CoolMOS™CoolMOS™ C7HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V80 V100 V600 V650 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)18A(Ta),90A(Tc)20.2A(Tc)22A(Ta),40A(Tc)33A(Tc)47A(Tc)97A(Tc)100A(Tc)120A(Tc)140A(Tc)222A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.3 毫欧 @ 100A,10V2.5 毫欧 @ 20A,10V2.7 毫欧 @ 100A,10V3.9 毫欧 @ 50A,10V4.2 毫欧 @ 50A,10V4.4 毫欧 @ 30A,10V9 毫欧 @ 58A,10V12 毫欧 @ 70A,10V65 毫欧 @ 17.1A,10V70 毫欧 @ 30A,10V190 毫欧 @ 9.5A,10V650 毫欧 @ 5.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2.5V @ 1mA3.5V @ 150µA3.5V @ 275µA3.5V @ 630µA3.5V @ 97µA3.9V @ 2.7mA3.9V @ 470µA4V @ 150µA4V @ 250µA4V @ 700µA4.5V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
52 nC @ 10 V60 nC @ 10 V63 nC @ 10 V64 nC @ 10 V73 nC @ 10 V96 nC @ 10 V117 nC @ 10 V120 nC @ 10 V152 nC @ 10 V206 nC @ 10 V320 nC @ 10 V400 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1100 pF @ 100 V1400 pF @ 100 V3020 pF @ 400 V3680 pF @ 20 V4820 pF @ 50 V5700 pF @ 40 V6320 pF @ 50 V6800 pF @ 25 V8410 pF @ 50 V11180 pF @ 50 V14800 pF @ 50 V31400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),69W(Tc)2.2W(Ta),78W(Tc)104W(Tc)151W(Tc)171W(Tc)214W(Tc)230W(Tc)300W(Tc)415W(Tc)568W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
MG-WDSON-2,CanPAK M™PG-TO220-3PG-TO247-3-1PG-TO263-3PG-TSDSON-8-FLTO-220TO-220-3TO-220ABTO-247(IXTH)
封装/外壳
3-WDSON8-PowerTDFNTO-220-3TO-247-3TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
12结果

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/ 12
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
3-WDSON
BSB044N08NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 80V 18A/90A 2WDSON
Infineon Technologies
10,465
现货
1 : ¥28.90000
剪切带(CT)
5,000 : ¥13.48666
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
18A(Ta),90A(Tc)
10V
4.4 毫欧 @ 30A,10V
3.5V @ 97µA
73 nC @ 10 V
±20V
5700 pF @ 40 V
-
2.2W(Ta),78W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
MG-WDSON-2,CanPAK M™
3-WDSON
PG-TO247-3
SPW47N60C3FKSA1
MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
Infineon Technologies
2,256
现货
1 : ¥125.61000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
47A(Tc)
10V
70 毫欧 @ 30A,10V
3.9V @ 2.7mA
320 nC @ 10 V
±20V
6800 pF @ 25 V
-
415W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO247-3-1
TO-247-3
TO-220AB PKG
IRFB4410ZPBF
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
Infineon Technologies
7,251
现货
1 : ¥10.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
97A(Tc)
10V
9 毫欧 @ 58A,10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 50 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TSDSON-8
BSZ025N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 22A/40A TSDSON
Infineon Technologies
7,712
现货
1 : ¥12.07000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.75806
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
22A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
2.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
52 nC @ 10 V
±20V
3680 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),69W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Infineon Technologies
37,342
现货
1 : ¥22.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥11.64273
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
6V,10V
4.2 毫欧 @ 50A,10V
3.5V @ 150µA
117 nC @ 10 V
±20V
8410 pF @ 50 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB027N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Infineon Technologies
10,104
现货
1 : ¥36.04000
剪切带(CT)
1,000 : ¥23.94800
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
120A(Tc)
6V,10V
2.7 毫欧 @ 100A,10V
3.5V @ 275µA
206 nC @ 10 V
±20V
14800 pF @ 50 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO263-3
IPB65R065C7ATMA2
MOSFET N-CH 650V 33A TO263-3
Infineon Technologies
4,924
现货
1 : ¥39.00000
剪切带(CT)
1,000 : ¥28.84515
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
33A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 17.1A,10V
4.5V @ 200µA
64 nC @ 10 V
±20V
3020 pF @ 400 V
-
171W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
488-TO-220AB
FDP2D3N10C
MOSFET N-CH 100V 222A TO220-3
onsemi
192
现货
162,400
工厂
1 : ¥50.98000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
222A(Tc)
10V
2.3 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 700µA
152 nC @ 10 V
±20V
11180 pF @ 50 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-220-3
IPP60R190C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
Infineon Technologies
3,987
现货
1 : ¥18.72000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
20.2A(Tc)
10V
190 毫欧 @ 9.5A,10V
3.5V @ 630µA
63 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 100 V
-
151W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
SPP08N80C3XKSA1
MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
Infineon Technologies
1,924
现货
1 : ¥20.28000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
8A(Tc)
10V
650 毫欧 @ 5.1A,10V
3.9V @ 470µA
60 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Littelfuse Inc.
287
现货
1 : ¥148.60000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
140A(Tc)
10V
12 毫欧 @ 70A,10V
4V @ 250µA
400 nC @ 10 V
±15V
31400 pF @ 25 V
-
568W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-247(IXTH)
TO-247-3
TO-220-3
TK3R9E10PL,S1X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
84
现货
1 : ¥17.98000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
100A(Tc)
4.5V,10V
3.9 毫欧 @ 50A,10V
2.5V @ 1mA
96 nC @ 10 V
±20V
6320 pF @ 50 V
-
230W(Tc)
175°C
通孔
TO-220
TO-220-3
显示
/ 12

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。