单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

SSM3J132TU,LF MOSFET P-CH 12V 5.4A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	4,294 现货	1 : ¥6.16000 剪切带（CT） 3,000 : ¥1.46129 卷带（TR）	U-MOSVI	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	5.4A（Ta）	1.2V，4.5V	17 毫欧 @ 5A，4.5V	1V @ 1mA	33 nC @ 4.5 V	±6V	2700 pF @ 10 V	-	500mW（Ta）	150°C	表面贴装型	UFM	3-SMD，扁平引线
SI8819EDB-T2-E1 MOSFET P-CH 12V 2.9A 4MICRO FOOT Vishay Siliconix	5,800 现货	1 : ¥3.45000 剪切带（CT） 3,000 : ¥0.92265 卷带（TR）	-	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带	在售	P 通道	MOSFET（金属氧化物）	12 V	2.9A（Ta）	1.5V，3.7V	80 毫欧 @ 1.5A，3.7V	900mV @ 250µA	17 nC @ 8 V	±8V	650 pF @ 6 V	-	900mW（Ta）	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装型	4-MICRO FOOT®（0.8x0.8）	4-XFBGA