单 FET，MOSFET

结果 : 2
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A（Ta）11.6A（Ta），49A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.5 毫欧 @ 11.6A，10V185 毫欧 @ 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
14.3 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
492 pF @ 25 V2735 pF @ 60 V
功率耗散（最大值）
1W（Ta）2.5W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）SOT-223（TO-261）
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-223 (TO-261)
NTF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
onsemi
17,516
现货
12,000
工厂
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
1,000 : ¥4.07707
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.7A（Ta）
10V
185 毫欧 @ 2.4A，10V
4V @ 1mA
14.3 nC @ 10 V
±20V
492 pF @ 25 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
8-PQFN
FDMS86201
MOSFET N-CH 120V 11.6A/49A 8PQFN
onsemi
9,869
现货
27,000
工厂
1 : ¥21.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.59236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
120 V
11.6A（Ta），49A（Tc）
6V，10V
11.5 毫欧 @ 11.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2735 pF @ 60 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。