单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedLittelfuse Inc.onsemiVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchT2™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V75 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.4A（Ta）5.8A（Ta）12A（Ta），80A（Tc）12.5A（Ta），52.1A（Tc）26A（Tc）230A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.2 毫欧 @ 50A，10V9 毫欧 @ 80A，10V13.8 毫欧 @ 15A，10V26.5 毫欧 @ 5.8A，10V45 毫欧 @ 5A，10V80 毫欧 @ 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.4V @ 250µA2.4V @ 420µA3V @ 250µA4V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12.2 nC @ 10 V20 nC @ 10 V26.5 nC @ 10 V43 nC @ 10 V110 nC @ 10 V178 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
587 pF @ 20 V860 pF @ 15 V1734 pF @ 20 V1735 pF @ 50 V6000 pF @ 25 V10500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
720mW（Ta）3.6W（Ta），60W（Tc）5.2W（Ta），64W（Tc）310W（Tc）480W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）PowerPAK® SO-8SOT-23-3TO-263（D2PAK）TO-263AA
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线PowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SI7430DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
6,220
现货
1 : ¥23.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.23140
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
26A（Tc）
8V，10V
45 毫欧 @ 5A，10V
4.5V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1735 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），64W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263
FDB3632
MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
onsemi
4,721
现货
1 : ¥24.88000
剪切带（CT）
800 : ¥14.99973
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
12A（Ta），80A（Tc）
6V，10V
9 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
6000 pF @ 25 V
-
310W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
SOT-23-3
DMN3042L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Diodes Incorporated
228,182
现货
666,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75610
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
2.5V，10V
26.5 毫欧 @ 5.8A，10V
1.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±12V
860 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP4065S-7
MOSFET P-CH 40V 2.4A SOT23
Diodes Incorporated
25,336
现货
204,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77194
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
2.4A（Ta）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 4.2A，10V
3V @ 250µA
12.2 nC @ 10 V
±20V
587 pF @ 20 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS014P04M8LT1G
MV8 40V P-CH LL IN S08FL PACKAGE
onsemi
2,599
现货
1 : ¥8.21000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.61779
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
12.5A（Ta），52.1A（Tc）
4.5V，10V
13.8 毫欧 @ 15A，10V
2.4V @ 420µA
26.5 nC @ 10 V
±20V
1734 pF @ 20 V
-
3.6W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
TO-263AB
IXTA230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO263
Littelfuse Inc.
90
现货
750
工厂
1 : ¥51.39000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
75 V
230A（Tc）
10V
4.2 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
178 nC @ 10 V
±20V
10500 pF @ 25 V
-
480W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。