单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesTaiwan Semiconductor Corporation
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Tc）21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
53 毫欧 @ 18A，10V130 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA4V @ 35µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.5 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
480 pF @ 15 V887 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3SOT-23
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2301ACX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
191,391
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43338
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Tc）
2.5V，4.5V
130 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±12V
480 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3
Infineon Technologies
2,395
现货
1 : ¥11.00000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.54081
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
21A（Tc）
8V，10V
53 毫欧 @ 18A，10V
4V @ 35µA
12 nC @ 10 V
±20V
887 pF @ 75 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。