单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesQorvoWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V80 V650 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A（Ta）28A（Ta），182A（Tc）85A（Tc）100A（Tc）120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V12V15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.4 毫欧 @ 100A，10V21 毫欧 @ 55.8A，15V28，8 毫欧 @ 50A，15V35 毫欧 @ 50A，12V140 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA3，6V @ 17，7mA3.6V @ 15.5mA3.8V @ 139µA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.6 nC @ 10 V43 nC @ 12 V133 nC @ 10 V162 nC @ 15 V188 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+15V，-4V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 40 V1500 pF @ 100 V4818 pF @ 1000 V5011 pF @ 400 V6200 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）3.8W（Ta），214W（Tc）416W（Tc）441W（Tc）469W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3SOT-23-3TO-247-4TO-247-4L
封装/外壳
TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6140L-7
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
Diodes Incorporated
139,380
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56823
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Ta）
4.5V，10V
140 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-247-4L
UF3C065030K4S
MOSFET N-CH 650V 85A TO247-4
Qorvo
1,955
现货
1 : ¥150.24000
管件
-
管件
在售
N 通道
-
650 V
85A（Tc）
12V
35 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
43 nC @ 12 V
±25V
1500 pF @ 100 V
-
441W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0021120K
SICFET N-CH 1200V 100A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
1,337
现货
1 : ¥336.77000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
100A（Tc）
15V
28，8 毫欧 @ 50A，15V
3，6V @ 17，7mA
162 nC @ 15 V
+15V，-4V
4818 pF @ 1000 V
-
469W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
C3M0065100K
C3M0015065K
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
848
现货
1 : ¥417.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
120A（Tc）
15V
21 毫欧 @ 55.8A，15V
3.6V @ 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V，-4V
5011 pF @ 400 V
-
416W（Tc）
-40°C ~ 175°C（TJ）
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
236
现货
1 : ¥22.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
28A（Ta），182A（Tc）
6V，10V
2.4 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 139µA
133 nC @ 10 V
±20V
6200 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），214W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。