单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesQorvo
系列
-CoolMOS™ G7OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
漏源电压（Vdss）
100 V600 V750 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Ta）， 179A（Tc）72A（Tc）75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V10V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 毫欧 @ 50A，10V23 毫欧 @ 50A，12V28 毫欧 @ 28.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.3V @ 109µA4V @ 1.44mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
37.8 nC @ 15 V69 nC @ 10 V123 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1414 pF @ 400 V4820 pF @ 400 V5200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
3W（Ta），208W（Tc）259W（Tc）391W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
D2PAK-7PG-HSOF-8-2PG-TDSON-8 FL
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFNTO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PG-HSOF-8-2
IPT60R028G7XTMA1
MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF
Infineon Technologies
4,443
现货
1 : ¥112.88000
剪切带（CT）
2,000 : ¥66.51379
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
75A（Tc）
10V
28 毫欧 @ 28.8A，10V
4V @ 1.44mA
123 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 400 V
-
391W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-2
8-PowerSFN
UF3C120080B7S
UJ4SC075018B7S
750V/18MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Qorvo
2,085
现货
1 : ¥146.30000
剪切带（CT）
800 : ¥86.20295
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（共源共栅 SiCJFET）
750 V
72A（Tc）
12V
23 毫欧 @ 50A，12V
6V @ 10mA
37.8 nC @ 15 V
±20V
1414 pF @ 400 V
-
259W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
D2PAK-7
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
6,698
现货
1 : ¥26.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥12.66044
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
21A（Ta）， 179A（Tc）
8V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.3V @ 109µA
69 nC @ 10 V
±20V
5200 pF @ 50 V
-
3W（Ta），208W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。