单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
EPCMicro Commercial CoTexas Instruments
系列
-eGaN®NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Ta）50A（Tc）100A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.8mOhm @ 18A，10V7 毫欧 @ 25A，5V12 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 250µA2.5V @ 5mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9 nC @ 5 V20 nC @ 10 V79 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±18V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
900 pF @ 50 V1500 pF @ 30 V4260 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
3.2W（Ta），116W（Tc）89W-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）TO-252（DPAK）模具
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
CSD18563Q5A
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
Texas Instruments
47,609
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86676
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Ta）
4.5V，10V
6.8mOhm @ 18A，10V
2.4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），116W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
EPC
93,345
现货
1 : ¥40.88000
剪切带（CT）
2,500 : ¥19.89486
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
36A（Ta）
5V
7 毫欧 @ 25A，5V
2.5V @ 5mA
9 nC @ 5 V
+6V，-4V
900 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
模具
模具
MBRD6100CT-TP
MCU50P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET,DPAK
Micro Commercial Co
2,144
现货
1 : ¥18.14000
剪切带（CT）
2,500 : ¥8.18816
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
50A（Tc）
4.5V，10V
12 毫欧 @ 25A，10V
3V @ 250µA
79 nC @ 10 V
±18V
4260 pF @ 30 V
-
89W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。