单 FET，MOSFET

结果 : 11
制造商
Diodes IncorporatedonsemiRohm Semiconductor
系列
-PowerTrench®QFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V80 V600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Tc）630mA（Ta）3.2A（Ta）4A（Ta）4.3A（Ta）4.5A（Ta）4.9A（Ta）5A（Ta）7.6A（Ta）21A（Ta），78A（Tc）21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4V，10V4.5V，10V6V，10V10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 毫欧 @ 35A，10V29 毫欧 @ 7.6A，10V42 毫欧 @ 4.9A，10V45 毫欧 @ 5A，10V50 毫欧 @ 4.5A，10V50 毫欧 @ 4A，10V59 毫欧 @ 3A，10V80 毫欧 @ 1.5A，4.5V156 毫欧 @ 6.7A，18V550 毫欧 @ 540mA，4.5V11.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA5.6V @ 3.33mA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.2 nC @ 10 V8.1 nC @ 5 V10 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V21.1 nC @ 10 V23 nC @ 10 V24 nC @ 10 V38 nC @ 18 V46 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V+22V，-4V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
150 pF @ 16 V170 pF @ 25 V430 pF @ 10 V460 pF @ 500 V470 pF @ 15 V620 pF @ 15 V627 pF @ 10 V948 pF @ 25 V1005 pF @ 15 V1300 pF @ 25 V1800 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1.25W（Ta）1.4W（Ta）1.6W（Ta）1.8W（Ta）2.1W（Tc）2.5W（Ta）3.6W（Ta），50W（Tc）103W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）6-CPH8-SOICSOT-223-4SOT-23-3SOT-26SuperSOT™-6TO-247NTSOT-26
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）SOT-23-6SOT-23-6 细型，TSOT-23-6TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMP2160U-7
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
58,140
现货
1,383,000
工厂
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.65386
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
80 毫欧 @ 1.5A，4.5V
900mV @ 250µA
-
±12V
627 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT223-3L
FQT1N60CTF-WS
MOSFET N-CH 600V 200MA SOT223-4
onsemi
22,115
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
4,000 : ¥2.27457
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
200mA（Tc）
10V
11.5 欧姆 @ 100mA，10V
4V @ 250µA
6.2 nC @ 10 V
±30V
170 pF @ 25 V
-
2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-4
TO-261-4，TO-261AA
8-SOIC
FDS3580
MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
onsemi
14,618
现货
2,500
工厂
1 : ¥12.81000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.28570
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
7.6A（Ta）
6V，10V
29 毫欧 @ 7.6A，10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,735
现货
1 : ¥72.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
650 V
21A（Tc）
18V
156 毫欧 @ 6.7A，18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V，-4V
460 pF @ 500 V
-
103W（Tc）
175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SOT-23-3
DMN2004K-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT23-3
Diodes Incorporated
21,262
现货
1,092,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.66393
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
1V @ 250µA
-
±8V
150 pF @ 16 V
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 26
DMP3056LDM-7
MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26
Diodes Incorporated
133,898
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12146
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.3A（Ta）
4.5V，10V
45 毫欧 @ 5A，10V
2.1V @ 250µA
21.1 nC @ 10 V
±20V
948 pF @ 25 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-26
SOT-23-6
TSOT-26
DMP3050LVT-7
MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
Diodes Incorporated
15,968
现货
1,305,000
工厂
1 : ¥4.19000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.12441
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.5A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 4.5A，10V
2V @ 250µA
10.5 nC @ 10 V
±25V
620 pF @ 15 V
-
1.8W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC610PZ
MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
onsemi
23,349
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.51660
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.9A（Ta）
4.5V，10V
42 毫欧 @ 4.9A，10V
3V @ 250µA
24 nC @ 10 V
±25V
1005 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
SG6858TZ
FDC658AP
MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
onsemi
15,735
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.65113
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
8.1 nC @ 5 V
±25V
470 pF @ 15 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
TSOT-23-6, TSOT-6
CPH6341-TL-W
MOSFET P-CH 30V 5A 6CPH
onsemi
7,920
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.89173
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5A（Ta）
4V，10V
59 毫欧 @ 3A，10V
-
10 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1.6W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
6-CPH
SOT-23-6
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NVMFS5C460NLAFT1G
MOSFET N-CH 40V 21A/78A 5DFN
onsemi
894
现货
1 : ¥12.40000
剪切带（CT）
1,500 : ¥5.89486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
21A（Ta），78A（Tc）
4.5V，10V
4.5 毫欧 @ 35A，10V
2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
3.6W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。