单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Rohm Semiconductor
系列
-AlphaMOS
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）6.5A（Ta），23A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
54 毫欧 @ 5A，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 1mA2.7V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V675 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）6.2W（Ta），75W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）TO-252（DPAK）
封装/外壳
SC-89，SOT-490TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1L002SNTL
MOSFET N-CH 60V 250MA EMT3F
Rohm Semiconductor
45,803
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.53142
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
TO-252-3
AOD2544
MOSFET N-CH 150V 6.5A/23A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
9,612
现货
1 : ¥9.19000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.79168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
6.5A（Ta），23A（Tc）
4.5V，10V
54 毫欧 @ 5A，10V
2.7V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
675 pF @ 75 V
-
6.2W（Ta），75W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。