单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.8A（Ta）12A（Ta），60A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.6 毫欧 @ 12A，4.5V120 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.9 nC @ 10 V14.5 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
190 pF @ 25 V1150 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
625mW（Ta）66W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（3x3.3）SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZXMN3A01FTA
MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
89,633
现货
57,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.24606
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.8A（Ta）
4.5V，10V
120 毫欧 @ 2.5A，10V
1V @ 250µA
3.9 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
625mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD18543Q3AT
MOSFET N-CH 60V 12A/60A 8VSON
Texas Instruments
8,087
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
250 : ¥7.93364
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
12A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
15.6 毫欧 @ 12A，4.5V
2.7V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。