单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
SIPMOS®SuperFET® III, FRFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21mA（Ta）24A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
150 毫欧 @ 12A，10V500 欧姆 @ 16mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.7V @ 8µA5V @ 540µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.1 nC @ 5 V43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
28 pF @ 25 V1985 pF @ 400 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）192W（Tc）
供应商器件封装
4-PQFN（8x8）PG-SOT23
封装/外壳
4-PowerTSFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS126H6906XTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
Infineon Technologies
6,818
现货
1 : ¥5.42000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.05117
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
21mA（Ta）
0V，10V
500 欧姆 @ 16mA，10V
2.7V @ 8µA
2.1 nC @ 5 V
±20V
28 pF @ 25 V
耗尽模式
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
4-PQFN
NTMT150N65S3HF
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
2,874
现货
1 : ¥53.77000
剪切带（CT）
3,000 : ¥25.12827
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
24A（Tc）
10V
150 毫欧 @ 12A，10V
5V @ 540µA
43 nC @ 10 V
±30V
1985 pF @ 400 V
-
192W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
4-PQFN（8x8）
4-PowerTSFN
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。